格恩半导体——国内规模量产氮化镓激光芯片企业

国元创投秉持“价值投资”理念，紧跟国家战略步伐，重点关注主流赛道，围绕核心技术国产替代的大逻辑，积极布局第三代半导体，挖掘优质企业。

8月26日，国元创投投资的企业——安徽格恩半导体有限公司在六安举办氮化镓激光芯片产品发布会并取得圆满成功。本次会议发布了十多款令人期待的氮化镓激光芯片产品，包括蓝光、绿光及紫光等系列，这些产品的关键性能指标已达到国外同类产品的先进水平，充分展示了格恩半导体在氮化镓激光芯片领域的超强技术实力和国内领先地位。本次发布会标志着格恩半导体已成为国内可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。

本次发布会受到了行业内外的高度重视，中国科学院院士、南昌大学副校长江风益，俄罗斯工程院外籍院士、国际信息显示学会执委会委员兼秘书长、福州大学特聘教授、博导严群，国家科技部高新技术司原调研员曹学军，中关村半导体照明工程研发及产业联盟秘书长阮军，安徽省光电子科学与技术重点实验室副主任、中国科学技术大学教授、合肥全色光显科技股份有限公司董事长许立新等专家学者；安徽省科技厅副厅长李国阳，安徽省经信厅副厅长王灯明，市、区领导潘东旭、霍绍斌、林松、张运、王焕成及省直、市直、区直有关单位主要负责人；安徽格恩半导体有限公司董事长阚宏柱、总经理李水清及近百位客户代表共200余人出席产品发布会，共同见证国内氮化镓激光芯片领域这一重要时刻。

格恩半导体自成立起，集中优势资源力量，攻克了一系列技术难点，解决了氮化镓激光芯片“卡脖子”问题， 目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装测试全系列工程技术能力和量产制造能力，拥有国际领先的半导体研发与量产设备500余台，以及业内领先的产品研发平台和自动化生产线。

本次发布会的举办，意味着我国在氮化镓激光芯片领域已真正实现突破，打破了被国外企业长期垄断的局面，填补了国内氮化镓激光芯片产业化空白，在我国半导体激光器的发展史上具有里程碑的意义。